《科创板日报》10 月 5 日讯 近期以来，多国芯片巨头上调产物报价。据央视财经报说念，昔日半年，世界存储芯片价钱捏续高潮。尽头是最近一个月，加价音信越发密集。

据《科创板日报》不透顶统计：

9 月下旬，三星电子发出第四季度提价告知，设想将部分 DRAM 价钱上调 15% 至 30%，NAND 闪存价钱上调 5% 至 10%。

NAND 闪存达成芯片大厂群联日前收复报价，价钱涨幅约 10%。

9 月 16 日，西部数据告知客户将逐步提升悉数 HDD（机械硬盘）产物的价钱。

9 月上旬，闪迪布告将面向悉数渠说念和破钞者客户的 NAND 产物价钱上调 10% 以上。

触及加价的存储芯片种类简短涵盖 DRAM 与 NAND 两种类型：前者是一种易失性半导体储器，读取速率相对快但断电后数据蓦的隐匿，无法遥远保存，近期受市集追捧的 HBM 也属于这一类型；后者属于非易失性存储，断电后数据仍能褂讪留存，时常正经存放海量数据和模子参数，SSD、HDD 等属于此列。

左证摩根士丹利的最新研报预测，东说念主工智能高潮下，存储芯片行业预见迎来一个"超等周期"。就在日前（10 月 1 日），OpenAI 与三星电子、SK 海力士布告达成初步供货合同，两家韩国公司将为"星际之门"（Stargate）阵势供应存储芯片。韩国总统办公室示意，OpenAI 设想在 2029 年订购 90 万片存储芯片晶圆。

SK 海力士在公告中称，这一需求预测是当今世界高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，突显了"星际之门"阵势限制之大以及世界东说念主工智能发展之快。

进一步细分来看，在 DRAM、HBM 无数兴隆且供给弥留的配景下，NAND 有望成为 AI 时间新一轮主流存储遴荐。

据悉，三星电子已入辖下手开展 HBF 高带宽闪存产物的成见设想等前期建树使命。所谓 HBF，是一种访佛 HBM 的专为 AI 范围设想的新式存储器架构，永诀在于 HBF 使用 NAND 闪存代替 DRAM。被称作" HBM 之父"的韩国科学时刻院（KAIST）讲授金正浩指出，现时的东说念主工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速率较慢但容量更高的 NAND 闪存不错行动补充。

摩根士丹利预见，到 2026 年 NAND 闪存将出现高达 8% 的供应缺口。

此外，群联电子董事长潘健成近日经受采访时示意，SSD 将成为大容量存储的主流遴荐，但当今与 HDD 对比，两者占比为 2：8，由于 SSD 新增容量不及，预期 2026 年起 NAND 闪存将严重枯竭，且将来十年供应王人将弥留。

与此同期，NAND Flash 价钱涨幅已反超 DRAM。据 CFM 闪存市集报价，2025 年第三季度，NAND Flash 市集轮廓价钱指数高潮 5%，DRAM 市集轮廓价钱指数高潮 19.2%。9 月单月来看，NAND Flash 市集轮廓价钱指数高潮 4.7%，DRAM 市集轮廓价钱指数高潮 2.6%。

预见后续，TrendForce 预见 25Q4 NAND Flash 价钱将高潮 5-10%。中信证券以为，后续数据中心 eSSD 加价幅度有望超市集预期万博manbext体育官网app(中国)官方网站，2026 年大容量 QLC SSD 有望出现爆发性增长。